三星2021年量產3奈米製程、進度超越台積電與英特爾 05-15 14:41

moneydj新聞 2019-05-15 14:41:58 記者 郭妍希 報導

三星電子(samsung electronics co.)週二(5月14日)宣布,將在2021年推出3奈米製程技術,進度超越台積電(2330)與英特爾(intel corp.)。

根據新聞稿,三星晶圓製造部總裁es jung (見圖) 14日在加州santa clara市舉辦的晶圓製造論壇(samsung foundry forum)上表示,3奈米的閘極全環(gate all around,簡稱gaa)製程技術將在2021年問世,不但運算效能較7奈米提升35%、還可節省50%電力,晶片面積則縮小45%。

三星表示,3奈米gaa製程技術(3gae)的研發完全依照進度,pdk (process design kit) 0.1版已在4月釋出,可協助顧客提前展開設計作業,以便提升設計競爭力、降低備貨時間。

另一方面,三星預定今(2019)年下半年量產6奈米製程裝置,同時完成4奈米製程的研發作業。5奈米finfet製程的產品設計已在4月開始研發,預計今年下半年完成、2020年上半年量產。

cnet 14日報導,顧問機構international business strategies執行長handel jones說,三星的gaa技術領先台積電約12個月,英特爾則大概落後三星2~3年。

三星晶圓製造事業行銷副總裁ryan lee 14日表示,gaa代表三星的晶圓製造進入全新紀元。他說,第一款3奈米製程晶片,是為智慧型手機等行動裝置設計,預計2020年開始測試、2021年量產。更加精細的高效能晶片,例如繪圖處理器、打包進資料中心的人工智慧(ai)晶片等,則會在2020年量產。

lee並表示,gaa可讓三星把電路微縮至3奈米,加以改進後、甚至可把製程技術進化至2奈米與1奈米。

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資料來源-moneydj理財網
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