陸記憶體元年美夢碎?韓專家:量產恐延至明年或更晚 01-10 11:12

moneydj新聞 2019-01-10 11:12:46 記者 陳苓 報導

外界原本估計2019年是「中國記憶體元年」,中國三大記憶體廠商都將在今年投產,帶動半導體產業起飛。但是美國科技禁售令和國際半導體市場低迷,重創中國。部分人士預測,陸廠量產時間將被迫延後至明年、甚至更晚。

韓媒businesskorea 10日報導,中國三大記憶體業者中,長江存儲(yangtze memory technology)主要發展nand flash、福建晉華(fujian jinhua)發展伺服器dram、合肥長鑫(innotron)主攻行動dram,先前傳出三廠都有望在今年投產,如今情況改變。

韓國半導體業協會(korea semiconductor industry association)執行董事ahn ki-hyun9日表示,企業的真正競爭實力在衰退時顯露,中國晶片廠已因美國管制遭逢困難,產業低潮會讓陸廠再受打擊。就算中國政府不計成本發展半導體,記憶體需求放緩仍會迫使陸廠減緩投資。

ahn並說,一旦晶片廠價格戰開打,陸廠技術和成本競爭力較弱,別無選擇只能蒙受巨大虧損。陸廠有朝一日會追上韓廠,但是這天來臨的時間再往後延。目前以nand flash來說,韓廠已研發出90層nand,陸廠只有32層產品,而且因良率問題尚未量產。dram方面,陸廠還未準備好發布產品、量產之日仍遙遙無期。

*編者按:本文僅供參考之用,並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦,讀者務請運用個人獨立思考能力,自行作出投資決定,如因相關建議招致損失,概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。

資料來源-moneydj理財網
2330 技術線圖2344 技術線圖2408 技術線圖2451 技術線圖3260 技術線圖5289 技術線圖6239 技術線圖

熱門新聞