供應過剩、三星傳大幅縮減半導體庫存量;股價摔2年低 01-04 11:41

moneydj新聞 2019-01-04 11:41:56 記者 蔡承啟 報導

南韓媒體每日經濟新聞(mk news)日文版3日報導,三星電子將大幅縮減dram、nand型快閃記憶體(flash memory)等半導體庫存。為了柔軟因應截至去(2018)年第3季為止的半導體絕佳需求,三星將半導體庫存量維持在1.5-3個月左右水準,不過自去年第4季開始,因供應過剩導致記憶體景氣大幅減速,也讓三星決議縮減庫存量。

據多位三星關係人士指出,三星目前將dram、nand flash庫存量分別維持在1.5個月(45天)、3個月(90天),不過三星內部已敲定方針,計畫將dram、nana flash庫存量大幅縮減至0.5個月。

因半導體從接單到生產需要一定的時間,因此在需求旺盛時期,為了即時因應來自顧客端的急單,讓三星增加庫存量,不過自去年第4季以來,因dram價格下滑、半導體市場鈍化,也讓三星轉換方針、縮減庫存量。

根據三星公告的資料顯示,去年第3季時三星的半導體庫存額為10兆4,542億韓圜。去年第3季時,三星dram全球市佔率達45.5%、nand flash為35.6%,皆高居全球首位。

根據嘉實xq全球贏家系統報價,截至台北時間4日上午11點05分為止,三星電子重挫1.20%至37,150韓圜,稍早最低跌至36,850韓圜、創約2年來(2017年1月18日以來)盤中新低水準。

日本電子情報技術產業協會(jeita)2018年11月27日發布新聞稿指出,世界半導體貿易統計協會(wsts)在最新公佈的預測報告中,以美中貿易摩擦(貿易戰)、全球經濟不明因素多為由,將2019年全球半導體銷售額成長率預估值自2018年6月預估的年增4.4%下修至年增2.6%,年增幅將創3年來(2016年以來、年增1.1%)新低水準。

其中,wsts預估2019年記憶體(memory)銷售額將年減0.3%至1,645.43億美元,將3年來首度陷入萎縮,且遠遜於6月時預估的年增3.7%。

日經新聞2018年10月5日報導,韓國投資證券表示,全球半導體巨擘三星電子2018年半導體設備投資額約27兆韓圜、持平於2017年水準,不過2019年預估將較2018年減少約8%。韓國投資證券預估,三星2019年對nand型快閃記憶體(flash memory)的投資雖將若干增加、不過對dram預估會減少2成以上。

日經新聞2018年10月31日報導,全球第2大nand flash廠商東芝記憶體(tmc)和其合作夥伴美國western digital(wd)計畫將雙方共同營運的四日市工廠部分製造設備導入時間進行延後。報導指出,四日市工廠內的「第6廠房(fab 6)」已完成廠房的興建,不過原先預計在2018年內搬入的設備將延後數個月時間、於2019年春天才會進行搬入,主因智慧手機出貨量低迷、導致記憶體價格下滑,因此將放緩增產速度。

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資料來源-moneydj理財網
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